存儲芯片漲勢迅猛。

日前，韓媒報道稱，三星電子今年第一季度將NAND閃存的供應價格上調(diào)了100%以上。與此同時，三星電子已經(jīng)著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。

在此之前，三星旗下所有存儲半導體產(chǎn)品的價格被曝上調(diào)至多80%，此次漲價涉及高帶寬內(nèi)存（HBM）、DDR5和DDR4等通用DRAM以及部分NAND產(chǎn)品。

據(jù)悉，三星電子去年底與主要客戶完成了供貨合同，并從今年1月開始實施了漲價。其他廠商的做法和三星類似，進入2026年開始采用新的供貨價格和客戶簽訂合約。在存儲產(chǎn)能受限的情況下，存儲芯片價格預計將會上漲相當長一段時間。

三星4TB固態(tài)硬盤SSD。視覺中國 資料圖

三星存儲“漲聲不斷”

近日，有臺媒援引半導體行業(yè)消息人士消息稱，三星電子已通知客戶，將旗下所有存儲半導體產(chǎn)品的價格上調(diào)至多80%。據(jù)悉，此次漲價涉及高帶寬內(nèi)存（HBM）、DDR5和DDR4等通用DRAM以及部分NAND產(chǎn)品。雖然漲價幅度因產(chǎn)品線和交易條款而異，但部分產(chǎn)品的漲幅高達80%，遠超現(xiàn)有合同價格。

對此，三星表示，市場傳言并不正確，并未對所有產(chǎn)品全面漲價80%。

緊接著，1月25日，韓國電子時報報道稱，三星電子今年第一季度將NAND閃存的供應價格上調(diào)了100%以上。這是因為人工智能（AI）的普及帶動了對基于NAND閃存的存儲設備的需求激增，但供應量并未顯著增加。預計內(nèi)存短缺和價格上漲的局面還將持續(xù)一段時間。

該報道援引業(yè)內(nèi)人士的話透露，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的供應價格提高了100%以上。據(jù)悉，三星電子去年底與主要客戶完成了供貨合同，并從今年1月開始實施了漲價。韓媒稱，繼DRAM價格上漲高達70%之后，NAND閃存的價格漲幅也大幅擴大。

與DRAM漲價的原因一樣，NAND閃存價格飆升也是源于供需失衡，即需求持續(xù)增長但供應不足。

首先，對人工智能基礎(chǔ)設施投資的增加導致需求顯著增長，尤其是對企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）的需求。此外，高性能、高容量存儲設備的應用已擴展到移動設備和個人電腦。這主要歸功于“設備端人工智能”（on-device AI）的日益普及，即在終端設備層面執(zhí)行人工智能計算。

與此同時，供應卻受到限制。去年，NAND閃存產(chǎn)能不僅沒有大規(guī)模擴張，工藝升級也限制了供應增長。三星電子在NAND投資方面也一直較為保守。雖然減產(chǎn)并非普遍現(xiàn)象，但普遍認為出貨量增長有限。

據(jù)報道，三星電子正在與客戶協(xié)商，爭取在第二季度提高NAND供應價格。這也意味著三星可能跟客戶簽訂的是季度合約，每個季度都會根據(jù)市場變化采用更為靈活的價格策略。之前有媒體報道稱，三星電子與SK海力士拒絕了客戶簽訂長期合約的訴求，堅持按季度簽約。

一位業(yè)內(nèi)人士對澎湃新聞記者表示，由于存儲產(chǎn)能緊缺，短期內(nèi)也沒有辦法大幅增加產(chǎn)量，從去年底，很多消費電子廠商已經(jīng)前往韓國要“產(chǎn)能”，后來英偉達等人工智能領(lǐng)域的客戶也來了?！坝捎诋a(chǎn)能有限，價格上漲是肯定的，但談判都是一家一個價格，每家要的產(chǎn)品也都有不同?！边@位業(yè)內(nèi)人士表示。

由于存儲芯片價格上漲，三星2025年第四季度營業(yè)利潤同比大增208.2%，達到創(chuàng)紀錄的20萬億韓元（約合138億美元），銷售額同比增加22.7%，也創(chuàng)下歷史新高。

除了三星外，海力士和美光也被曝提價。之前，韓媒報道稱，三星電子與SK海力士計劃在2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%。報道稱，兩家公司同時向個人電腦與智能手機DRAM客戶提出了相近幅度的漲價方案。

存儲超級周期可能延續(xù)到2027年

去年以來，存儲芯片的漲價已經(jīng)不是新鮮事，但人工智能對存儲芯片“吞噬”還是遠超預期。

人工智能爆發(fā)對存儲芯片的需求驟增，存儲廠商把產(chǎn)能更多向AI相關(guān)的高利潤產(chǎn)品傾斜，留給傳統(tǒng)型存儲的產(chǎn)能減少，導致這些傳統(tǒng)型存儲產(chǎn)品價格也跟著上漲。此外，隨著人工智能推理需求以及端側(cè)智能的普及，對存儲芯片的需求進一步增加，這使得AI相關(guān)的存儲芯片價格居高不下，一路上漲。

盡管產(chǎn)能短缺價格上漲，但存儲廠商對擴產(chǎn)持比較謹慎的態(tài)度。第三方機構(gòu)TrendForce集邦咨詢分析認為，此次NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求的爆發(fā)，主要受AI對儲存容量需求的急速攀升，以及HDD供應不足導致云端服務供應商轉(zhuǎn)單所帶動。此現(xiàn)象屬于結(jié)構(gòu)性短缺，而非短暫的市場波動。然而，過去數(shù)年產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷多次景氣循環(huán)，使部分廠商在資本支出與擴產(chǎn)策略上趨于保守。隨著2026年資本支出重心放在制程升級和導入hybrid-bonding而非擴產(chǎn)，將導致供應位元增幅有限，TrendForce集邦咨詢認為，NAND Flash市場的供不應求狀態(tài)預計將延續(xù)2026年全年。

日前，存儲芯片廠商鎧俠近期于上海舉辦的媒體技術(shù)沙龍上推出了新一代旗艦存儲產(chǎn)品——PCIe 5.0 SSD系列。鎧俠相關(guān)人士對澎湃新聞記者表示，從整體行業(yè)來看，至少未來兩年內(nèi)存儲價格將會受到AI相關(guān)投資的影響，消費者可能將為相同的產(chǎn)品支付更高的價格。

據(jù)媒體報道，日前，在韓國首爾的一次活動中，鎧俠存儲器事業(yè)部執(zhí)行董事中戶俊介談到了當前由AI驅(qū)動的存儲“超級周期”，并預計NAND閃存供應緊張的局面至少會持續(xù)至2027年。中戶俊介證實，公司2026年的NAND閃存產(chǎn)能已全部售罄。

一位存儲芯片龍頭公司一位內(nèi)部人士對澎湃新聞表示，公司內(nèi)部預計存儲漲價周期將維持到2027年，但其個人認為有可能到2028年。這位人士也表示，對未來幾年的事情有太多不確定，但擴產(chǎn)需要時間，目前產(chǎn)能異常緊缺，很多廠商拿不到貨。

機構(gòu)：存儲芯片“貧富差距”拉大

本輪DRAM和NAND在內(nèi)的內(nèi)存價格的快速上漲對市場的影響巨大。首先，存儲漲價使得構(gòu)建人工智能基礎(chǔ)設施的成本正在急劇上升。此外，存儲價格上漲也推動智能手機、電腦等以及各種消費用移動存儲價格的上漲。

摩根士丹利在1月20日發(fā)布的研報中指出，人工智能正推動半導體行業(yè)劇烈分化，形成一場 “K型”復蘇。AI存儲芯片（如HBM）供不應求，使三星、SK海力士等上游廠商顯著受益；但下游的PC和手機制造商則面臨無法轉(zhuǎn)嫁成本的壓力。這一趨勢由AI的 “產(chǎn)能擠出效應”主導，甚至導致傳統(tǒng)存儲（如DDR4）出現(xiàn)短缺，成為區(qū)分行業(yè)贏家和輸家的關(guān)鍵分水嶺。

大摩分析，AI帶來的技術(shù)通脹正在加劇供應鏈的成本壓力，導致存儲芯片與傳統(tǒng)硬件制造商之間的“貧富差距”拉大。分析師指出，AI不僅推動了對HBM（高帶寬存儲器）和企業(yè)級SSD的強勁需求，甚至導致DDR4等傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品也出現(xiàn)持續(xù)短缺。然而，這種上游存儲成本的上漲，對于下游PC和智能手機OEM廠商而言，正演變?yōu)閲谰睦麧欁枇Α?/p>

由于存儲芯片價格上漲，多家PC廠商和智能手機廠商已經(jīng)開始漲價。從澎湃新聞記者線下探訪的情況下，華碩、聯(lián)想、戴爾等多家品牌電腦廠商開始漲價，漲幅少則幾百元，多則幾千元。手機廠商近期發(fā)布的新款手機價格也出現(xiàn)了幾百元的上漲，以反應存儲芯片漲價壓力。

在大摩的報告中，把三星、海力士等存儲芯片廠商列為贏家，受益于AI服務器和推理需求的激增，這些具備高端存儲技術(shù)和產(chǎn)能的供應商正迎來估值重估。與上游存儲廠商的狂歡形成鮮明對比的是，處于下游的硬件OEM廠商正面臨嚴峻挑戰(zhàn)。大摩分析師警示，存儲成本的通脹正在被視為全行業(yè)的挑戰(zhàn)，特別是對于那些缺乏定價權(quán)的消費電子品牌。其中，宏碁被列為“最不受青睞”的股票之一，同樣，惠普和戴爾也面臨類似的逆風，盡管它們也在嘗試涉足AI PC，但短期內(nèi)存儲成本的上升仍是主要的負面因素。

展望未來，大摩重申了對AI半導體市場的長期看好。英偉達CEO黃仁勛曾預測全球云資本支出在2028年將達到1萬億美元，而大摩的數(shù)據(jù)也支持這一趨勢，認為到2030年全球半導體市場規(guī)?？赡苡|及1萬億美元大關(guān)。

澎湃新聞記者 周玲